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廣州可控硅光耦經銷商
來源: 發布時間:2023-05-02 點擊量:460
交流感應電機在此應用中很常見,可控硅光耦并且始終由功率級中使用的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 驅動。 典型的總線電壓為 200 VDC 至 1,000 VDC。 IGBT 使用電子換向來實現交流感應電機所需的正弦電流。
該設備充當開關元件。 同時,由于上述光耦優異的隔離性能和輸出功能,被廣泛應用于大功率固態繼電器中作為隔離驅動器件。 可采用普通晶體管輸出光耦和交流輸入光耦來滿足固態繼電器對直流和交流輸入控制的需要。
可控硅光耦
如果你好奇,我建議你拆開一個固態繼電器,看看里面。 如果你對電路有一點了解,你可以根據里面的電路自己制作。 一個,嗯! 其實不難,就是少了一個漂亮的貝殼!
當輸入信號Vi經晶體管BG1和BG2的前級放大后,驅動光電耦合器左側的LED發光,并全部被右側光敏管吸收,轉換為電信號。該信號由后級電路BG3放大,管子經過電容C3后,發射極輸出一個未失真的放大信號V0一般的,光耦的電流傳輸比CTR的允許范圍是50%一200%。若CTR<50%,那么光藕中的LED就需要較大的工作電流來驅動,甚至會增加電路功耗,再者單片機I/O口也不能提供過大電流,若CTR值過大,在啟動電路或者當負載發生突變時,有可能系統不穩定,影響正常輸出
IF不同不同對應的CTR也不同,并且數據差異還很大,一般情況下在IF=5ma時,CTR值都應該與原有光耦所用區域CTR值的大體一致,要不然產品動態性很差,替代時需要注意選取合適的IF電流,使輸入控制電流的變動都能及時反饋到輸出端,保證產品反饋環的穩定。
可控硅光耦為提高光控晶閘管觸發靈敏度,門極區常采用放大門極結構或雙重放大門極結構。為滿足高的重加電壓上升率,常采用陰極發射極短路結構。上一條:廣州光耦EL357廠家 | 下一條:惠州8PIN光耦廠家