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廣州高速光耦廠家

來源: 發布時間:2022-10-14 點擊量:503

現代系統日益增長的需求已經突破了光電隔離技術的局限性。 例如,共模瞬態抗擾度 (CMTI) 在總線電壓和電流較大的高功率系統中至關重要。 IGBT 需要更快地開關,以減少開關損耗并降低功耗。

這些光耦提供的輸出電流范圍從幾十mA 但是,在一些大功率應用中,當輸出電流從幾A到幾十A時,上述小功率器件往往無法滿足需求。 因此需要大功率晶閘管、雙向可控硅、MOS場效應管等電源。 

高速光耦

晶閘管可以是單向或雙向的,可以通過過零或移相觸發。 固態繼電器也是如此。 因此,它們的用途和形式具有相同類型的產品。 從這個角度(使用形式和性質)來看,沒有什么區別,因為固態繼電器也是用晶閘管制成的(帶三極管的固態繼電器除外)。 

當輸入信號Vi經晶體管BG1和BG2的前級放大后,驅動光電耦合器左側的LED發光,并全部被右側光敏管吸收,轉換為電信號。該信號由后級電路BG3放大,管子經過電容C3后,發射極輸出一個未失真的放大信號V0

一般的,光耦的電流傳輸比CTR的允許范圍是50%一200%。若CTR<50%,那么光藕中的LED就需要較大的工作電流來驅動,甚至會增加電路功耗,再者單片機I/O口也不能提供過大電流,若CTR值過大,在啟動電路或者當負載發生突變時,有可能系統不穩定,影響正常輸出

該設備充當開關元件。 同時,由于上述光耦優異的隔離性能和輸出功能,被廣泛應用于大功率固態繼電器中作為隔離驅動器件。 可采用普通晶體管輸出光耦和交流輸入光耦來滿足固態繼電器對直流和交流輸入控制的需要。 


高速光耦為提高光控晶閘管觸發靈敏度,門極區常采用放大門極結構或雙重放大門極結構。為滿足高的重加電壓上升率,常采用陰極發射極短路結構。

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