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惠州光耦EL354代理商

來源: 發布時間:2022-09-12 點擊量:394

現代系統日益增長的需求已經突破了光電隔離技術的局限性。 例如,共模瞬態抗擾度 (CMTI) 在總線電壓和電流較大的高功率系統中至關重要。 IGBT 需要更快地開關,以減少開關損耗并降低功耗。

由于信號是單向傳輸,輸入端和輸出端完全電氣隔離,輸出信號對輸入端沒有影響。 因此,光耦抗干擾能力強,工作穩定、非接觸、使用壽命長、傳輸效率高,廣泛應用于電絕緣、電平轉換、信號傳輸等場合。


光耦EL354

光耦合器是一種以光為介質傳輸電信號的電-光-電轉換器件。 它由兩部分組成:發光源和受光器。 發光源和受光器組裝在同一個密封外殼內,通過透明絕緣體相互隔開。 發光源的引腳為輸入端,受光器的引腳為輸出端,常見的發光源為發光二極管,受光器為光電二極管、光電三極管等 上。

當輸入信號Vi經晶體管BG1和BG2的前級放大后,驅動光電耦合器左側的LED發光,并全部被右側光敏管吸收,轉換為電信號。該信號由后級電路BG3放大,管子經過電容C3后,發射極輸出一個未失真的放大信號V0

IF不同不同對應的CTR也不同,并且數據差異還很大,一般情況下在IF=5ma時,CTR值都應該與原有光耦所用區域CTR值的大體一致,要不然產品動態性很差,替代時需要注意選取合適的IF電流,使輸入控制電流的變動都能及時反饋到輸出端,保證產品反饋環的穩定。

這些光耦提供的輸出電流范圍從幾十mA 但是,在一些大功率應用中,當輸出電流從幾A到幾十A時,上述小功率器件往往無法滿足需求。 因此需要大功率晶閘管、雙向可控硅、MOS場效應管等電源。 

電子間的關聯通常微弱到難以觀測,但某些情況會導致電子出現明顯的異常行為,如超導現象,光耦EL354這是高容量計算機存儲器的基礎。科研人員此次通過高靈敏度的實驗技術,清晰觀測到了電子間不尋常的運動,這對于研究基于超導體等材料的下一代電子器件是重大突破。

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