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可控硅光耦光耦合器是70年代發展起來產新型器件，可控硅光耦現已廣泛用于電氣絕緣、電平轉換、級間耦合、驅動電路、開關電路、斬波器、多諧振蕩器、信號隔離、級間隔離、脈沖放大電路、數字儀表、遠距離信號傳輸、脈沖放大、固態繼電器(SSR)、儀器儀表、通信設備及微機接口中

晶閘管可以是單向或雙向的，可以通過過零或移相觸發。固態繼電器也是如此。因此，它們的用途和形式具有相同類型的產品。從這個角度（使用形式和性質）來看，沒有什么區別，因為固態繼電器也是用晶閘管制成的（帶三極管的固態繼電器除外）。

可控硅光耦

主要的控制功能由通用交流繼電器完成。通常由按紐或限位開關驅動繼電器。繼電器的觸點可以控制電磁閥、較大的啟動電機以及指示燈。

當輸入信號Vi經晶體管BG1和BG2的前級放大后，驅動光電耦合器左側的LED發光，并全部被右側光敏管吸收，轉換為電信號。該信號由后級電路BG3放大，管子經過電容C3后，發射極輸出一個未失真的放大信號V0

那么它們之間的區別在哪里呢？永遠不會有一個東西，兩個名字，對吧？它們的區別在于晶閘管是晶閘管，固態繼電器是晶閘管+同步觸發驅動。這就是區別。

一般的，光耦的電流傳輸比CTR的允許范圍是50%一200%。若CTR<50%,那么光藕中的LED就需要較大的工作電流來驅動，甚至會增加電路功耗，再者單片機I/O口也不能提供過大電流，若CTR值過大,在啟動電路或者當負載發生突變時,有可能系統不穩定,影響正常輸出

電子間的關聯通常微弱到難以觀測，但某些情況會導致電子出現明顯的異常行為，如超導現象，可控硅光耦這是高容量計算機存儲器的基礎。科研人員此次通過高靈敏度的實驗技術，清晰觀測到了電子間不尋常的運動，這對于研究基于超導體等材料的下一代電子器件是重大突破。

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